以往我们了解到的旗舰机所使用的芯片工艺，大体上都是来源于台积电，包括28nm高性能(HP)、低耗电(LP)、高性能低耗电(HPL)以及高性能移动计算(HPM)等工艺，代表芯片有高通骁龙801(HPM)、麒麟930(HPC)、联发科MT6795(HPM)等，而此次三星Exynos 7420则首次使用了FinFET技术的低纳米制程工艺，领先于高通旗舰骁龙810芯片的20nm，在工艺上足足赢了一个时代，而这也正是三星Galaxy S6/S6 edge在硬件上的核心亮点。

在此之前我们不妨先来了解下14nm FinFET工艺有何过人之处。首先我们知道知道芯片工艺的制程数值越小，就可以带来更强劲的性能，并且功耗就会更低。而原因是为什么呢?实际上一个处理器是由不同材料制成的许多“层”堆叠在一起而形成的电路，里面包含了晶体管、电阻器、以及电容器等微小元件。这些元器组件之间的距离我们通常就用“纳米”来描述它。所以14nm实际上缩短了元器件的间距，一方面可以布局更多的芯片元器件，另一方面也只需要更小的电压，所以性能和功耗都会得到提升。

▲三星Exynos 7420芯片使用的14nm FinFet工艺的基本原理

既然如此，为何其它厂商的旗舰机不使用更优秀的制程工艺芯片?而这主要是受限于成本和技术，首先更小的工艺需要更昂贵的设备成本，晶片的投资成本会更高。即便你不在乎成本，但由于更小的晶体管在排列时很容易出现漏电的情况，很难实现稳定的情况，需要不断的调试和优化。所以并不是说其它厂商没有能力实现更低纳米的工艺，只是为了追求制程与稳定的平衡，当下大多芯片都在20nm和28nm之间，实现性能和稳定的平衡。

所以三星Exynos 7420处理器之所以优秀，最主要的原因就就是14nm FinFET制程工艺。其实三星在半导体制造方面实际上非常超前，而目前也仅有三星一家可以正式大规模量产14nm FinFET工艺的移动设备芯片，甚至传言苹果下一代A9处理器也都会使用三星制程技术。

另外关于这个FinFET工艺技术，实际上并不是第一次出现，(FinField-EffectTransistor,FinFET)具体称之为鳍式场效晶体管，它是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管，因为晶体管的形状与鱼鳍的相似而得名。早在2011年初，英特尔公司就曾在它22nm的芯片上使用FinFET工艺，成功量产和商业化。目前英特尔酷睿i7-3770之后的22nm处理器实际上都使用了FinFET技术。由于FinFET具有功耗低，面积小的优点，除了英特尔和三星外，台积电、联发科、海思都有计划推出自己的FinFET晶体管，但目前也只有三星成功量产。

了解完三星Exynos 7420所使用的14nm FinFET工艺外，我们不妨来看看它的具体详情。这颗处理器同样是一款64位架构的八核平台。采用A57+A53的big.LITTLE架构，其中A57的最高频率将达到2.1GHz，A53部分则为1.5GHz，性能非常强劲。此外图形方面还集成Mali-T760 MP8，最高内存带宽可达25.6GB/s，这也是目前为止最强的移动图形处理器芯片。

另外有不少媒体说明这颗处理器集成基带，实际上这并不正确。我们在和三星工作人员取得联系后得知，实际上Exynos 7420处理器并没有集成三星自己的基带，而是单独使用高通MDM系列的基带解决方案，而这也是国行版的三星Galaxy S6 edge会有全网通版本的原因。

另外除了Exynos 7420芯片外，三星Galaxy S6/S6 edge在硬件上实际上还有两个亮点，分别是LPDDR4内存和UFS2.0技术。

关于LPDDR4内存，这将会是今年的旗舰新标准。虽然之前小米Note率先宣布会使用4GB LPDDR4内存，不过对于小米的“期货”风格，相信短时间内不会面世。所以三星Galaxy S6将会是首款搭载LPDDR4内存的产品。在性能上新的LPDDR4将会比现有LPDDR3内存提升50%，可提供32Gbps的带宽(为LPDDR3的2倍)，实际应用上会带来更高效的反应能力和启动速度。同时由于LPDDR4内存的工作电压降低至1.1V，所以耗电量也会降低40%左右。

另外LPDDR4实际上也并非是三星S6独有，目前高通骁龙810、三星Exynos 7420、英特尔Atom Z3500这三款处理器都能支持LPDDR4内存，而这三款处理器均是定位于高端市场之列，相信后续会有一大波产品使用该内存。

另外一个则是UFS 2.0技术，它的是Universal Flash Storage(通用闪存芯片)缩写，是三星在S6前发布的标准芯片，支持“Command Queue”技术，可同时实现读取和写入操作，期间的电源管理也更高效。目前UFS 2.0的读写速度比当下旗舰手机所使用的eMMC 5.0快了3倍，理论传输速度甚至高达1.2GB/s，已经达到SSD标准(仅在128G版上测试，32GB/64GB会略慢些)。

综合来看，三星Galaxy S6/S6 edge的硬件条件甚至已经可以称之为恐怖，大有横扫整个Android阵营的水准。既然它的理论数值如此优秀，那实际中的性能表现如何?对此我们也进行了测试。

首先我们用安兔兔来测试下硬件的极限性能。从跑分中看到，三星Galaxy S6的安兔兔测试总成绩高达68879分，逼近7万。这个分数可以说是Android智能手机阵营里的新高度，已经远超出同级别的旗舰手机。虽然安兔兔跑分测试的是硬件的极限能力，但从中确实可以看到Exynos7420这颗芯片的过人之处。另外在和同级别的高通骁龙810芯片产品的对比中也足足提升了20%，硬件表现确实令人惊讶。

既然说到和高通骁龙810芯片的对比，我们不妨来看看二者在具体得分上的详情。我们以HTC One M9为例，在二者的对比中可以看到，Exynos7420几乎是全盘领先，特别是在多任务、CPU整数和RAM运算方面大幅度超越，而这和14nm的处理器以及LPDDR4内存不无关系。所以在硬件的极限能力方面，Exynos 7420确实要超越高通骁龙810芯片。

▲HTC One M9(左)和三星Galaxy S6(右)安兔兔跑分对比

而除了安兔兔外，我们还使用了多个软件对二者进行比较。另外由于三星Galaxy S6的竞争对手显然是iPhone 6，对此我们也加入了苹果A8处理器的数据，力求进一步还原三星Exynos 7420的真实能力。

首先我们来看下，这三款芯片都是基于ARMv8-A的64位架构，其中三星Exynos 7420和高通骁龙810基本一致，都是A57+A53的big.LITTLE架构，处理器频率也基本一致。不过三星Galaxy S6在A57部分的最高频率为2.1GHz，而HTC One M9则为2.0GHz，至于A53部分则一样都是1.5GHz。至于苹果A8处理器，则是独特的双核1.4GHz处理器结构。

三款旗舰芯片基本资料对比手机三星Exynos 7420高通骁龙810苹果A8制程工艺14 nm FinF ET 20 nm HPM20 nm HKMG架构ARMv8-A 64位架构结构四核A57+四核A53四核A57+四核A53双核频率4x2.1GHz+4x1.5GHz4x2.0GHz+4x1.5GHz2x1.4GHz图形处理器Mali-T760 MP8Adreno 430PowerVR GX6450图形频率772MHz650MHz450MHz 内存类型双通道LPDDR4 1600MHz双通道LPDDR4 1600MHz单通道 LPDDR3 1600MHz内存带宽25.6GB/s25.6GB/s12.8GB/s浮点运算209.44 GFlops

324 GFlops115.2 GFlopsOpenGL ES 3.0支持支持支持

另外在图形和内存方面，三星GALAXY S6使用了目前最高端的Mali-T760MP8，而高通骁龙810同样使用了Adreno430，二者都是双通道的LPDDR4内存，并且实现了25.6GB/s的主流带宽。而苹果在图形方面则是强悍的GX6450，但内存方面则是单通道，并且带宽也仅为12.8GB/s，在如今略显不足。

理论上的数值分析完后，我们通过实际测试来对比下三者的差异，分别采用的产品是三星Galaxy S6(Exynos 7420)、HTC One M9(高通骁龙810)和iPhone 6(苹果A8)，由于测试环境和个体均差在差异化，故以下数据仅供参考。

在跨平台跑分软件GeekBench3.1上我们来看看三者的表现，三星Galaxy S6拿到了单核1447分和多核4768分的成绩，而使用高通骁龙810的HTC One M9得分为单核1300和多核3698(高通芯片降频厉害，取初次分值)，而iPhone 6则是单核1626分，多核2921分。所以也可以看到三者的大体排列，Exynos 7420芯片确实比高通骁龙810更胜一筹，而在和苹果A8处理器的对比中，虽然三星S6的单核性能上不及iPhone 6，但也是安卓阵营中的最强者，并且在多核运行下能轻松取胜。

另外在图形方面，不得不说这依旧是高通的强项。3DMark的测试中，高通骁龙810以23906的得分领先于三星Exynos 7420的22155分，二者的差距也并不算大。不过在GFXBench3.1中三星S6的成绩反而优于HTC One M9，所以整体来看二者的图形性能应该是旗鼓相当。至于苹果A8处理器，已经被二者甩在身后了。另外考虑到Mali-T760MP8的理论实力，相信后期还会有进一步的提升。

相信到这里大家可以明白为什么三星Galaxy S6今年将全部使用Exynos 7420芯片，放弃高通骁龙810的版本了。高通骁龙810相比于Exynos 7420几乎没有任何优势，甚至连高通最擅长的图形部分也都被三星打平。再加上Exynos 7420的14nm FinFET工艺，功耗会比高通骁龙810的20nm更优秀。至于高通唯一优势的基带部分，也已经授权给三星S6使用了，所以“悲剧”自然也就发生了。

从我们的分析中不难看出，三星Exynos 7420确实是一款变态级的芯片，14nm FinFET工艺可谓是傲视群雄，而LPDDR4内存和UFS2.0技术更是加分明显。毫无疑问，这将是上半年最强劲的移动处理器芯片，已经超越了高通骁龙810和苹果A8处理器。当然它的遗憾之处也是有的，核心基带方面依旧来源于高通，并且三星也不会授权该芯片给其它厂商使用。

所以如果你打算购买三星Galaxy S6/S6 edge，那性能方面绝对物有所值。但如果从整个智能手机行业去评判该芯片，或者对于用户来说，高通依然没有失去最重要的竞争力，网络通讯支持和方案整合仍然非他莫属。如果你需要支持全网通，并且希望有物美价廉的高端旗舰手机，那高通骁龙810仍然是行业的唯一选择。 返回搜狐，查看更多